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ラティスは最新メモリ技術用に幅広い高性能インターフェイス・ソリューションを提供します。これらソリューションはネットワーキング・アプリケーションに強固なソリューションを提供する革新的なシリコンとIPコアの組み合わせです。 特長
1 LatticeXP2では、DDR1/2 SDRAMの周波数は200MHzで、端子でのスループットは400Mbpsです 3 LatticeECP3ファミリでサポート
ラティスは次のメモリベンダに対応します
ネットワーキング・アプリケーションにおけるメモリネットワーキングと通信アプリケーションでは大容量の高速メモリデバイスが、単純なアドレス参照や、トラフィック・シェーピング/ポリシング、そしてバッファ管理などのタスクに必要です。 図1は典型的なネットワーキング・アーキテクチャです。10Gbpsの速度で、典型的な1000:1のリード・ライト比のアドレス三章はDDR SRAMで容易に扱えます。リンクリスト管理、トラフィック・シェーピング及び統計的集約タスクは通常1:1のバランスの取れたリード・ライト比で、高性能QDR (Quad Data Rate) SRAMが必要です。一方、大容量バッファメモリは一般にDDR SDRAM (Synchronous DRAM)に実装されます。DRAMの代替品であるSDRAMはより高速のデータ転送にプロセッサ・クロックでメモリアクセスの同期を取ります。 図1. 典型的なネットワーキング・アプリケーションにおけるメモリ
高性能用途に良く見られるもう一つのメモリはRLDRAMです。この短縮されたレイテンシのDRAMは、SRAMタイプのインターフェイスを備え、非多重化アドレスです。RLDRAM技術は、最小化されたレイテンシと短縮したROWサイクルタイムで、次世代ネットワーキング・アプリケーション(10Gbps以上)のような、応答時間がクリティカルで高速のランダムアクセスを必要とするアプリケーションに適します。 |