flexiFLASHアーキテクチャ

ラティスXP2デバイスは、ユーザにデバイスのプログラミングと構成の柔軟性を提供するシングル・チップ上でフラッシュとSRAMを組み合わせています。下に示された表は、デバイス内のフラッシュとSRAM構成セル配置の概要です。

flexiFLASHの利点

• インスタント-オン
• シングル・チップ
• FlashBAK技術
• シリアルTAGメモリ
• 設計セキュリティ

インスタント-オン

パワーアップ及びユーザ・コマンドで、データはオン-チップ・フラッシュ・メモリからデバイス動作を制御するSRAM構成セルへ転送されます。これはパーツが有効レベルに到達する電源供給のマイクロ秒内で動作するパーツが可能な大規模パラレル・バスで行われ、この機能はインスタント-オンとして参照されます。

シングル・チップ

オン-フラッシュはシングル-チップ・ソリューションが外付けブート・メモリの必要性がなく、ソリューションの基板面積を減らします。ハイブリッドが束になったダイ・アプローチを利用して一般的に供給されているものよりも小さいパッケージがシングル・ダイに使用されています。

~3K LUT Hybrid Non-volatile Device and 5K LUT True Non-volatile Device

FlashBAK BlockRAM

パーツのFlashBAK機能は、デバイス構成の他の特長を消去や再プログラムをすることなくFlash保存エリアの書き込み内容でEBRブロックが可能です。

シリアルTAGメモリ

シリアル・メモリは較正係数やエラー・コードなどのようなデータの少量保存が可能です。

設計セキュリティ

セキュリティが重要なアプリケーションに、外付けビットストリームなしでフラッシュ内臓のSRAMよりも安全なソリューションを提供します。

• 読み込みからフラッシュとSRAMエリアを防ぐビットを制御 
• 突発的で不正な再プログラミングを防止する消去やプログラミングを必須とするオプショナルの64ビット・フラッシュ・ロック・キー 
• 予測される消去や再プログラミングをブロックするオプショナルのOTP(Optional Time Programmable)モードはFPGAの内容が改ざんしないように保証します。