分散RAMとsysMEM組み込みブロック(EBR)

MachXOデバイス・ファミリは次の2種のメモリを搭載しています：

A. 分散メモリ

PFUブロックのLUTはシングルもしくはデュアル・ポート16X2ビット・メモリとして構成できます。

B. 組み込みブロックRAM(EBR)

大容量のデータを保存するのに、MachXO1200とMachXO2280デバイスは特化した9Kbitのメモリ・ブロックを備えています。これらのブロックはシングル、擬似デュアル・ポートもしくはデュアル・ポート・メモリとして構成出来ます。また、ユーザ・ロジックにデバイス・ロジック・リソースを確保する為、専用制御機能を持つFIFOとして構成できます。

分散/EBRメモリは、より大きな容量のメモリを構成するためにビット幅と深さを拡大（カスケード）できます。さらに構成中、前もってこれらのRAMメモリへプリロードすることによって、ROM（書き込みポートなしのRAM）が実現できます。

分散RAMは、従来バス・ブリッジングやバス・インターフェース・アプリケーションで使用されたような小さいデータ・バッファを構成するのに理想的です。下図は標準レジスタと較べて、このアプローチの効果的な使用方法（16倍の容量改善）を示しています。